Влияние размерного квантования на спиновую поляризацию дырок в структурах с квантовыми ямами разбавленного магнитного полупроводника (Ga,Mn)As/AlAs

Исследовано влияние размерного квантования на спиновую поляризацию дырок в структуре с квантовыми ямами ферромагнитного полупроводника (Ga,Mn)As. Показано, что спиновая поляризация дырок в примесной зоне определяется, скорее, магнитными свойствами самого GaMnAs, а не эффектом размерного квантования. Развита модель акцептора Mn в квантовой яме, описывающая поляризационные характеристики фотолюминесценции в квантовых ямах GaAs:Mn/AlAs. Экспериментальные данные и теоретический анализ продемонстрировали, что спиновая поляризация дырок в квантовых ямах (Ga,Mn)As/AlAs может быть объяснена в модели, предполагающей, что дырки локализованы в примесной зоне.