Конкуренция зонного и прыжкового механизмов переноса носителей заряда в тонких пленках Ge : Mn

Исследованы закономерности дырочного транспорта в его взаимосвязи с перколяционным магнетизмом, обусловленным локализованными носителями заряда, одновременно участвующими в формировании магнитных и электрических свойств тонких пленок Ge : Mn. Установлено, что при температурах $T>$ 22 K в образцах Ge : Mn (2 at.% Mn) происходит безактивационный зонный перенос носителей заряда. При низких температурах имеет место прыжковый механизм с переменной длиной прыжка.