Процессы усталости в триглицинсульфате и влияние на них магнитного поля

Впервые процессы усталости в кристаллах триглицинсульфата исследовались с использованием комбинации электрофизических методов и методов сканирующей зондовой микроскопии. Длительное ($>$ 100 h) воздействие синусоидального поля с частотой 50 Hz и амплитудой 1 kV/cm приводило к резкому уменьшению диэлектрической проницаемости в области фазового перехода и деградации петель гистерезиса $P$–$E$ (уменьшению спонтанной поляризации, увеличению коэрцитивного и смещающего полей). Изменения диэлектрических свойств сопровождались возрастанием плотности дефектных нанокластеров и расширением спектра их распределения по размерам на поверхности скола (010). Последующая выдержка “уставших” кристаллов в постоянном магнитном поле 2 T в течение 20 min приводила к симметризации петли гистерезиса, что свидетельствует о магнитоиндуцированном изменении структуры дефектов, ответственных за эффекты усталости.