Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния

Впервые выращен эпитаксиальный теллурид кадмия толщиной 1–3 $\mu$m на кремнии с буферным слоем карбида кремния методом открытого термического испарения и конденсации в вакууме. Оптимальная температура подложки составила 500$^\circ$C при температуре испарителя 580$^\circ$C, время роста 4 s. Для более качественного роста теллурида кадмия на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом топохимического замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной $\sim$100 nm. Эллипсометрический, рамановский, рентгеновский и электронографический анализ показали высокое структурное совершенство слоя CdTe и отсутствие поликристаллической фазы.