Аннотация:
Нетепловое размытие квантовых уровней $\Delta E$ определяется из эффектов осцилляции кинетических коэффициентов и магнитной восприимчивости и описывается температурой Дингла — $T_{\text{Д}}$. Обращает на себя внимание идентичность зависимости ${T_{\text{Д}}\sim N'{}^{0.40\pm0.02}}$ в полупроводниках (Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te, InAs, InSb, $p$-Те), полуметаллах ($\alpha$-Sn), металлах (Cu), где $N'$ — величина, пропорциональная концентрации дефектов структуры. Это объясняется определяющей ролью малоуглового рассеяния носителей тока на дефектах решетки, которые могут являться следствием различных причин — отклонение от стехиометрического состава, легирование, механическое воздействие, собственные дефекты структуры, вакансии, неконтролируемые примеси и пр. Обсуждаются общие закономерности нетеплового уширения квантовых уровней в твердых телах.