Особенности диэлектрического экранирования в бесщелевом полупроводнике

В приближении случайных фаз рассчитана пространственная дисперсия диэлектрической проницаемости бесщелевого полупроводника при конечных температурах с последовательным учетом матричного характера гамильтониана. Полученные формулы качественно отличаются от имеющихся в литературе.