Низкотемпературная релаксация рассеяния света в кремнии

Нагрев кристаллов Si до $60{-}150^{\circ}$С с последующей закалкой до комнатной температуры приводит в случае образцов $p$-типа к существенному возрастанию интенсивности малоуглового рассеяния света $I$, после чего $I$ быстро падает. В образцах $n$-типа аналогичные изменения $I$ происходят за более длительное время. Эти результаты объясняются диффузионным перераспределением примесей между примесными облаками и примесными кластерами и свидетельствуют о быстрой миграции примесей при комнатной температуре.