Г. И. Овчинникова, Н. В. Белугина, Р. В. Гайнутдинов, Е. С. Иванова, В. В. Гребенев, А. К. Лашкова, А. Л. Толстихина, “Температурная динамика доменной структуры триглицинсульфата по данным атомно-силовой микроскопии и диэлектрической спектроскопии”, Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 11,страницы 2164

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'' , Н. Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Сегнетоэлектричество

Температурная динамика доменной структуры триглицинсульфата по данным атомно-силовой микроскопии и диэлектрической спектроскопии

Г. И. Овчинникова^a, Н. В. Белугина^b, Р. В. Гайнутдинов^b, Е. С. Иванова^b, В. В. Гребенев^b, А. К. Лашкова^b, А. Л. Толстихина^b

^a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
^b Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва

Аннотация: Представлены результаты комплексного исследования водородсодержащего сегнетоэлектрика триглицинсульфата (TGS) методами атомно-силовой микроскопии (AFM) и диэлектрической спектроскопии. В режиме микроскопии пьезоэлектрического отклика (PFM) in situ изучена динамика доменной структуры при нагреве и охлаждении кристалла TGS вблизи фазового перехода. Получены релаксационные зависимости общего периметра доменных границ и размеров доменов. Измеренные в диапазоне частот от 10 до 10$^{11}$ Hz диэлектрические спектры TGS проанализированы на основе представлений о заметном вкладе проводимости в диэлектрический отклик сегнетоэлектриков. Показано, что учет вклада проводимости в диэлектрические спектры дает хорошее согласие с экспериментом и позволяет получить дополнительную информацию о температурной динамике доменной структуры.