Е. И. Малышева, М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, М. В. Ведь, “Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/$n^{+}$-GaAs/(Ga,Mn)As”, Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 11,страницы 2190

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'' , Н. Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Физика поверхности, тонкие пленки

Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/$n^{+}$-GaAs/(Ga,Mn)As

Е. И. Малышева^a, М. В. Дорохин^a, А. В. Здоровейщев^a, М. В. Ведь^b

^a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Проведено исследование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и инжектором в виде ферромагнитного слоя (Ga,Mn)As. Показана возможность управления эффективностью спиновой инжекции электронов в структуре с туннельным барьером (Ga,Mn)As/$n^{+}$-GaAs путем варьирования параметров $n^{+}$-GaAs. Обсуждаются механизмы управления спиновой инжекцией, связанные с термической активацией и туннелированием носителей.