Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

Эпитаксиальные слои в системе твердых растворов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{y}$P$_{x}$ в диапазоне составов 0 $<x<$ 0.72 получены на подложке InAs(001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОГФЭ). Послойный анализ полученных структур с помощью метода масс-спектрометрии вторичных ионов показал градиентное изменение состава вдоль направления наращивания. Резкое изменение состава на гетерогранице слой/подложка наблюдалось для четверных твердых растворов InAsSbP благодаря присутствию радикалов соединений мышьяка в газовой фазе. При эпитаксиальном наращивании на подложку InAs в системе твердых растворов InAsSbP методом МОГФЭ уменьшение содержания мышьяка в твердой фазе менее $(1-x-y)<$ 0.3 приводило к подавлению градиентности осаждаемого слоя, а также и подавлению колебаний состава в начальном переходном слое.