Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, Г. Э. Цырлин, “Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 10,страницы 1886

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Полупроводники

Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Р. Р. Резник^abc, К. П. Котляр^ad, И. В. Илькив^ab, И. П. Сошников^ade, С. А. Кукушкин^acf, А. В. Осипов^afc, Е. В. Никитина^a, Г. Э. Цырлин^cga

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^e Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
^f Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
^g Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Продемонстрирована принципиальная возможность выращивания нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке с наноразмерным буферным слоем карбида кремния. Исследованы морфологические и оптические свойства полученной системы. Показано, что интенсивность пика спектра фотолюминесценции у таких структур более чем в 2 раза выше, чем у лучших структур нитевидных нанокристаллов GaN без буферного слоя карбида кремния.

Поступила в редакцию: 08.04.2016