Электронная эмиссия, стимулированная фазовыми переходами, в суперионных кристаллах RbAg$_{4}$I$_{5}$

Обнаружена и изучена эмиссия электронов, возникающая при фазовых переходах (${T_{1}=209}$ и ${T_{2}=122}$ K) в суперионных кристаллах RbAg$_{4}$I$_{5}$. Проведены исследования фотоэлектронной эмиссии в температурном интервале ${85\div300}$ K. Показано, что красная граница фотоэффекта описывается в рамках полупроводниковой модели степенным законом $(h\nu{-}A^{5/2})$. Определена величина фотоэлектронной работы выхода в кристаллах RbAg$_{4}$I$_{5}$.