Локализация экситонов в облученных рубиновым лазером слоистых кристаллах PbI$_{2}$

Изучалось влияние излучения рубинового лазера наносекундной длительности на экситонные спектры кристаллов PbI$_{2}$ $2H$- и $4H$-политипов. Показано, что под действием лазерного излучения в PbI$_{2}$ происходят структурные изменения (образование дефектов упаковки). Возникающий при этом одномерный беспорядок приводит к локализации экситона вдоль оси непериодичности, обусловливая «тонкую» структуру экситонного спектра.