Рассеяние критических флуктуаций на сильно скоррелированных дислокационных структурах

Исследовано влияние полей упругих напряжений, созданных хаотически расположенными дислокационными диполями, на критическое поведение кристалла с $n$-компонентным параметром порядка. Показано, что описывающий рассеяние флуктуации на этих полях инвариантный заряд для ${n\geqslant2}$ асимптотически убывает в критической области по степенному закону с численно малым индексом.