Поглощение света дислокациями в полупроводниках

Рассмотрено поглощение света, обусловленное возбуждением носителей, локализованных на дислокациях, в состояния объемных зон. Учитываются состояния четырех дислокационных зон: двух зон ядра дислокации и зон, отщепляемых от валентной зоны и зоны проводимости полем деформационного потенциала. Результаты расчета для дислокаций в кремнии находятся в разумном согласии с экспериментом.