Аннотация:
Экспериментально исследована зависимость оптимальных параметров лазерного отжига (кристаллизации) повторяющимися импульсами длительностью 100 fs с длиной волны 800 nm, попадающей в область прозрачности пленки, но в область поглощения подложки, от толщины сегнетоэлектрической пленки. Показано, что при увеличении толщины пленки на 100 nm (в диапазоне 300–600 nm) требуемая плотность мощности лазерного луча повышается в среднем на 0.1 MW/cm$^{2}$. Оптимальное время воздействия лазерного луча заданной мощности увеличивается нелинейно с ростом толщины пленки.