Математическая модель радиационного нагрева изделий микроэлектроники

Рассмотрен радиационный нагрев полупроводникового кристалла. Построена модель передачи энергии кристаллу избыточными носителями заряда, образующимися при рассеянии ионизирующего излучения. Вычислено распределение энергии, теряемой падающим излучением в кристалле, между электронами проводимости и фононами кристаллической решетки.