Алгоритм моделирования радиационных термомеханических эффектов в приближении Каттанео

Рассмотрено воздействие ионизирующего излучения на изделие микроэлектроники. Распространение тепла и механических напряжений представлено как единый процесс переноса фононов кристаллической решетки, электронов проводимости и дырок валентной зоны. Сформулирована связанная модель, основанная на уравнениях термоупругости. Переноса тепла описан законом сохранения энергии и уравнением Каттанео – следствием кинетического уравнения для фононов. Колебания решетки рассмотрены в приближении линейной теории упругости. Разработаны разностные схемы для решения уравнений модели.