RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Препринты Института прикладной математики им. М. В. Келдыша РАН // Архив

Препринты ИПМ им. М. В. Келдыша, 2019, 129, 21 стр. (Mi ipmp2767)

Эта публикация цитируется в 1 статье

О численной модели физических процессов в высокотемпературных сверхпроводниках

В. Т. Жуковa, В. М. Красновbc, М. М. Красновba, Н. Д. Новиковаa, О. Б. Феодоритоваa

a Институт прикладной математики им. М.В. Келдыша РАН, Москва, Россия
b Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Россия
c Department of Physics, Stockholm University, AlbaNova University Center, SE-10691 Stockholm, Sweden

Аннотация: Изложен подход к численному моделированию высокотемпературной сверхпроводимости в полупроводниках, в которых сверхпроводящие и диэлектрические слои образуют анизотропную структуру с джозефсоновским механизмом протекания тока сквозь непроводящие участки. Сформулирована приближенная трехмерная математическая модель, учитывающая нелинейное взаимодействие электро-теплофизических процессов. Такое взаимодействие моделируется заданием зависимости тензоров теплопроводности и электропроводности от температуры. Проведены модельные расчеты висмутового высокотемпературного сверхпроводника Bi-2212.

Ключевые слова: численное моделирование, высокотемпературная сверхпроводимость, уравнения теплопроводности и электрического поля.

DOI: 10.20948/prepr-2019-129



© МИАН, 2024