Расчет основного состояния электрона в неоднородном поле экранированного иона углерода

Данное исследование связано с разработкой математических методов и численных алгоритмов для моделирования локального квантового состояния поверхности графена в масштабах шага решетки. Ранее для решения этой задачи была предложена модель структуры графена в виде решетки водородоподобных атомов с экранированными ионами. Однако экранирующее поле было однородным. В данной работе предполагается, что экранирующее поле иона неоднородно по радиусу. Основным направлением исследований были расчеты энергии основного состояния электрона в неоднородном поле.