RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Препринты Института прикладной математики им. М. В. Келдыша РАН // Архив

Препринты ИПМ им. М. В. Келдыша, 2005, 014, 27 стр. (Mi ipmp655)

Stochastic simulation of nano-scale surface and near surface region modification: high-temperature blistering and thin films formation

[Стохастическое моделирование наноструктурных изменений поверхности и приповерхностного слоя: высокотемпературный блистеринг и формирование тонких пленок]

A. L. Bondareva, G. I. Zmievskaya


Аннотация: Данная работа посвящена рассмотрению таких важных в нанотехнологическом плане процессов как блистеринг и образование тонких пленок на поверхности материала. Эти явления изменяют не только свойства материала подложки, но и свойства пристеночной плазмы. Изучение данных процессов проводится с помощью математического моделирования. Созданы кинетические и стохастические модели флуктуационных стадий рассматриваемых процессов, которые основаны на кинетической теории, модели Броуновского движения и методе стохастического аналога. Флуктуационная стадия является чрезвычайно быстропротекающей во времени, но играет существенную роль для дальнейшего протекания как блистеринга, так и процесса формирования тонких пленок. Модифицирован метод второго порядка точности решения стохастических дифференциальных уравнений для применения к рассматриваемым задачам. Полученные физические результаты совпадают с экспериментальными данными и могут служить основой для проведения лабораторных экспериментов.

Язык публикации: английский



© МИАН, 2024