Аннотация:
Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности композитных пленок ПЭВП-х GaAs и ПЭВП-х GaAs<Te> (х=1-10 масс%). Показано, что модификация рельефа поверхности композитных пленок зависит от вида и концентрации вводимого наполнителя. Установлено, что при значениях х=2-6 масс% происходит структурирование поверхности с максимальной степенью кристалличности.
Ключевые слова:композитные пленки, атомно-силовая микроскопия (АСМ), трехмерные изображения (3D), гистограммы.