Особенности эмиссии в нанозёренной структуре полупроводников

В работе проведено экспериментальное исследование и теоретический анализ возможных механизмов автоэмиссии в нанозёренной структуре наиболее применяемых полупроводников (Si, GaAs, InAs, InSb). Предложена модельная схема электронных процессов. Рассчитаны параметры электронного спектра исследуемых структур. Получено качественное и количественное согласование экспериментальных результатов с теоретической оценкой, что подтверждает правомерность сформулированных модельных представлений. Проведённое исследование позволяет утверждать, что эмиттеры на основе узкозонных полупроводников А$_3$В$_5$ значительно эффективнее, чем на базе металлов, углерода, кремния.