Моделирование пространственных характеристик электронного переноса в элементах флеш-памяти

На основе кинетического метода Монте-Карло проведено численное моделирование электронного переноса в кремниевых короткоканальных МОП-транзисторах с плавающим затвором, являющихся базовым элементом современных микросхем флеш-памяти. С помощью данного моделирования рассчитано влияние затворного напряжения на относительную величину туннельного паразитного тока, возникающего на плавающем затворе, а также среднюю энергию и подвижность электронов в проводящем канале данных транзисторов при разных напряжениях на стоке. Показано, что для исследованных условий это влияние существенно на срединном участке проводящего канала транзистора и снижается у истокового и стокового перехода прибора.