Особенности поликристаллического переноса электронов коллоидных квантовых точек InSb и PbS

На образцах в структуре мультизеренного слоя коллоидных квантовых точек узкозонных полупроводников антимонида индия и сульфида свинца электроны транспортируются в межзеренных нанозазорах во время протекания тока путем термоэмиссии из квантовых точек без оболочки и туннельной эмиссии из квантовых точек с оболочкой. Инжекция электронов в квантовые точки происходит туннельной эмиссией и пролётом через оболочку. Для КТ без оболочки для тока наблюдается ограничение пространственным зарядом подобно кулоновской блокаде. Результаты обсуждаются с использованием модели линий тока по всему слою. Согласно характеристикам, подсчитано, что в линиях тока имеется 100-200 квантовых точек.