Исследование структурно-физических свойств коллоидных квантовых точек узкозонных полупроводников методами электронной и сканирующей зондовой микроскопии

На основе вариаций параметров синтеза квантовых точек и измерений на электронном и зондовом микроскопах установлено, что определяющей для структурно-физических свойств квантовых точек является скорость кристаллизации в процессе их коллоидного синтеза. При этом, при медленном росте кристаллов гистограмма распределения по размерам имеет два максимума, что связано, вероятно, с термодинамической анизотропией кристаллизации. Исследование туннельно-эмиссионных свойств квантовых точек позволило оценить величины эффективной массы их электронов проводимости и предположить применимость её метода к квантовым точкам. При этом величины потенциального барьера эмиссии определяются по характеристике дифференциальной туннельной проводимости $(dI/dV)/(I/V)$.