Исследование оптических и электрических свойств монокристалла TlGaSe$_2$

С целью определения характера оптических переходов, авторами были проведены исследования в области края собственного поглощения TlGaSe$_2$, измерялось пропускание и отражение при 300 К и 77 К, вычислен коэффициент поглощения. Результаты хорошо согласуются с расчетами зоны Бриллюэна. Показано, что длинноволновой край собственной полосы поглощения формируется непрямыми переходами (У$\to$Г). При 4,2 К в спектре в спектре поглощения наблюдается интенсивная линия поглощения $\lambda$ = 579,5 нм (2,138 эВ). Можно сделать вывод, что в TlGaSe$_2$ край полосы собственного поглощения формируется прямым экситонным переходом, которому предшествует непрямой оптический переход. Исследования переходов, соответствующих краю собственной полосы поглощения TlGaSe$_2$, показывают, что край формируется переходом между экстремальными точками зоны Бриллюэна, имеющими поляризационные особенности. Переходы происходят из близко расположенных нескольких уровней. TlGaSe$_2$ кристаллизуется в моноклинной структуре с пространственной группой $Cc$, то есть данные кристаллы обладают единственным элементом симметрии – плоскостью отражения $\sigma$, перпендикулярной слоям. Однако полученные нами экспериментальные результаты не объясняются данной симметрией кристалла.