Формирование и исследование мемристорных элементов на основе оксидов меди и титана с использованием магнетронной технологии

Представлены результаты получения резистивных элементов памяти на стеклянных подложках. Образцы представляли собой структуры металл/диэлектрик/металл, активный слой которого был получен магнетронным распылением составной титаново-медной мишени. Электронно-микроскопический анализ показал, что активный слой после процесса переключения имеет вертикально ориентированную морфологию, что может дополнительно подтверждать филаментарный механизм перключения. Изучены вольт-амперные характеристики и эффект резистивного переключения. Обнаружено, что предложенных способ получения диэлектрического слоя является подходящим для изготовления мемристоров. В частности, продемонстрировано, что применение данных пленок в структуре мемристивного элемента памяти позволяет получить отношение состояния с высоким электрическим сопротивлением к состоянию с низким электрическим сопротивлением более чем 10$^2$.