Односторонняя проводимость мемристивной структуры на основе нанотрубок диоксида циркония

Методом анодирования синтезированы нанотрубки $ZrO_2$ с внешним диаметром 25 нм. Методом магнетронного напыления изготовлены образцы мемристоров со слоистой структурой $Zr/ZrO_{2}/Au$. Измерены вольт-амперные характеристики в полных циклах резистивного переключения. Продемонстрирована односторонняя проводимость исследуемой структуры. На основании изменения электрического сопротивления мемристоров при воздействии приложенного напряжения сделан вывод о высокой синаптической пластичности $Zr/ZrO_{2}/Au$ мемристоров.