Моделирование туннельного тока в элементах флеш-памяти

В настоящей статье осуществлено моделирование туннельного тока в МОП-транзисторах, являющихся основой элементов флеш-памяти. C его помощью было исследовано влияние затворного и стокового напряжения, а также толщины туннельного окисла МОП-транзистора на распределение плотности туннельного тока вдоль проводящего канала транзистора.