Пострадиационное накопление $F_4$ центров в гамма-облученных кристаллах $\mathrm{LiF}$

Исследовано пострадиационное накопление $F_4$ центров в гамма-облученных($1\div 5\times10^6R$) кристаллах $\mathrm{LiF}$ после комбинированного (одновременного или последовательного) воздействия умеренным теплом (температура отжига $140$–$160^\circ$) и постоянным электрическим полем ($1800$–$3000$ V). Проведен анализ полученных результатов.