Аннотация:
Созданы на кремниевых подложках n и р-типа гетероструктуры металл–сегнетоэлектрик–полупроводник (МСЭП). Реализованы в МСЭП-структуре электронно-управляемые конденсаторные элементы. Измеренные при напряжении смещения $\pm$ 50 В параметры конденсаторных элементов показали, что ход вольтфарадных характеристик конденсаторных элементов на кремнии р-типа зеркально отражает ход вольтфарадных характеристик на кремнии n-типа.
Ключевые слова:сегнетоэлектрик, структура металл-сегнетоэлектрик–полупроводник, кремний, вольтфарадная характеристика.
Полный текст:
PDF файл (684 kB)