Гетерофазные полупроводники под действием излучений

В работе дана история и современное состояние исследований сублимированных в вакууме фотопроводящих гетерофазных пленок CdS-PbS. Пленки изготовлены из полупроводников, имеющих ограниченную взаимную растворимость. Найдены причины повышенной стойкости к деградации, в частности к радиации (облучение у-квантами и ускоренными электронами). Она объясняется отвлечением рекомбинационного потока от широкозонной фазы в узкозонную. В узкозонную фазу переходят также дефекты, образуемые облучением. Уменьшение количества дефектов в широкозонной фазе гетерофазного полупроводника в результате отвлечения рекомбинационного потока и радиационно-стимулированной диффузии ведет к расшатыванию кристаллической решетки узкозонной фазы. При облучении ионами средних энергий это приводит к увеличению выхода вторичных ионов ($Pb^+$) при освещении, то есть к вторично-ионному фотоэффекту, наблюдавшемуся и исследованному нами впервые. В статье также рассмотрена возможность использования нанотехнологий при создании наноразмерных включений в гетерофазном полупроводнике.