RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика // Архив

Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 2024, том 24, выпуск 4, страницы 398–411 (Mi isuph542)

Твердотельная электроника, микро- и наноэлектроника

Управление резонансами в одномерной брэгговской структуре сверхвысокочастотного диапазона при использовании в качестве интерфейса слоя дистиллированной воды

А. В. Скрипаль, Д. В. Пономарев, М. А. Волшаник

Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского

Аннотация: Теоретически и экспериментально исследовано возникновение фотонных таммовских резонансов в запрещенных зонах одномерного сверхвысокочастотного фотонного кристалла при использовании в качестве интерфейса структуры, содержащей слой дистиллированной воды, характеризующейся высоким значением действительной и мнимой частей комплексной диэлектрической проницаемости в трехсантиметровом диапазоне длин волн. На основании результатов компьютерного моделирования с использованием метода матрицы передачи и эксперимента доказана возможность управления фотонными резонансами Тамма с помощью изменения как толщины слоя дистиллированной воды, так и величины воздушного зазора между фотонным кристаллом и слоем воды. Установлено, что при увеличении толщины слоя дистиллированной воды наблюдаются осцилляции частоты и амплитуды таммовского резонанса как в первой, так и во второй запрещенной зоне одномерной брэгговской структуры сверхвысокочастотного диапазона, затухающие при большой толщине слоя воды. При этом наибольшая амплитуда таммовского резонанса достигается для каждой толщины слоя воды при определенном значении воздушного зазора.

Ключевые слова: брэгговские структуры, сверхвысокочастотный диапазон, фотонные таммовские состояния, интерфейс, слой дистиллированной воды.

УДК: 621.372.2

Поступила в редакцию: 03.08.2024
Принята в печать: 20.09.2024

DOI: 10.18500/1817-3020-2024-24-4-398-411



© МИАН, 2025