RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки // Архив

Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2013, выпуск 3, страницы 233–247 (Mi ivpnz406)

Физика

Фотомагнитный эффект в квантовой проволоке с одномерной сверхрешеткой из потенциалов нулевого радиуса

В. Д. Кревчик, А. В. Разумов, Т. А. Губин

Пензенский государственный университет, Пенза

Аннотация: Актуальность и цели. Эффект фотонного увлечения несет ценную информацию о зонной структуре и механизмах релаксации импульса носителей заряда в полупроводниковых низкоразмерных системах. С точки зрения приборных приложений этот эффект может быть использован для создания детекторов лазерного излучения на основе наноструктур, которые представляют широкие возможности управления как зонным спектром, так и примесными состояниями (локализованными и резонансными). Цель данной работы состоит в теоретическом исследовании особенностей эффекта фотонного увлечения электронов, связанных с наличием примесной зоны, образованной резонансными состояниями электрона в поле регулярной цепочки $D^0$-центров в квантовой проволоке при наличии внешнего продольного магнитного поля. Материалы и методы. Кривые спектральной зависимости плотности тока фотонного увлечения в квантовой проволоке с регулярной цепочкой $D^0$-центров во внешнем магнитном поле построены для случая квантовой проволоки на основе InSb. Для расчета плотности тока использовался метод кинетического уравнения Больцмана. Результаты. Показано, что с уменьшением периода регулярной цепочки $D^0$-центров в квантовой проволоке порог эффекта фотонного увлечения смещается в длинноволновую область спектра из-за роста эффективной массы электрона в примесной зоне. При этом в спектральной зависимости плотности тока фотонного увлечения возрастает частота и амплитуда осцилляций интерференционной природы. Найдено, что с ростом внешнего магнитного поля происходит подавление осцилляций за счет уменьшения ширины примесной зоны. Показано, что параметры диссипативного туннелирования оказывают существенное влияние на порог эффекта фотонного увлечения в квантовой проволоке. В квантовой проволоке с резонансными состояниями электрона и туннельно связанной с объемным полупроводником появляются дополнительные степени свободы для управления эффектом фотонного увлечения путем варьирования параметров диссипативного туннелирования.

Ключевые слова: квантовая проволока, регулярная цепочка $D^0$-центров, примесные резонансные состояния электрона, примесная зона, внешнее магнитное поле, эффект фотонного увлечения электронов.

УДК: 539.23; 539.216.1



© МИАН, 2024