Особенности формирования контактов Ni-GaAs, получаемых при электролизе, и их электрофизические свойства

Актуальность и цели. Никелевые контакты на арсениде галлия представляют интерес с точки зрения их применения в оптоэлектронике. Целью данной работы является исследование контактных структур Ni-p-GaAs и Ni-n-GaAs. Объектом исследования выбраны электрохимические контакты никеля к кристаллическому арсениду галлия. Приводятся исследования топографии однородных электрохимических пленок никеля нанометровой толщины (50-100 нм) на поверхности полупроводника. Экспериментально получены вольт-амперные характеристики контактов металл-полупроводник. Материалы и методы. Выполнено исследование шероховатости подложки GaAs пленки Ni с использованием оптического и зондового микроскопов. Для получения пленок никеля использовался раствор Уоттса и установка по получению электрохимических структур капельным методом. Для минимизации шероховатости поверхности никеля, получаемой электролитическим методом, использовался режим малой плотности тока. С использованием теоретической модели и экспериментальных данных вычислены сопротивления контактов и построены их вольт-амперные характеристики. Результаты. Определены параметры шероховатости поверхности никеля, влияющие на эксплуатационные свойства контактных структур. Выявлены особенности протекания тока через полученный электрохимическим методом контакт Ni-GaAs. Выводы. Показано, что полученные структуры Ni-p-GaAs проявляют омические свойства, а вольт-амперные характеристики контактов Ni-n-GaAs имеют нелинейную область при напряжениях менее 1,5 Вольт. Выявлено, что формирование цельной никелевой пленки на поверхности GaAs возможно при толщине слоя Ni, превосходящей среднюю шероховатость подложки.