RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки // Архив

Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2011, выпуск 4, страницы 160–167 (Mi ivpnz607)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика

Электродинамический расчет s-параметров матрицы рассеяния 3D-магнитной наноструктуры в волноводе

О. А. Головановa, Г. С. Макееваb, М. А. Чиркинаc, А. С. Николенкоa

a Военный учебно- научный центр Сухопутных войск «Общевойсковая академия ВС РФ», Пенза
b Пензенский государственный университет, Пенза
c Пензенский государственный архитектурно-строительный университет, Пенза

Аннотация: Проведено математическое моделирование дифракции волны $H_{10}$ на 3D-магнитной наноструктуре в прямоугольном волноводе при помощи вычислительного алгоритма на основе многоуровневой рекомпозиции автономных блоков с каналами Флоке. Рассчитаны зависимости коэффициента прохождения волны $H_{10}$ через 3D-магнитную наноструктуру в волноводе от поперечного поля подмагничивания $H_{0}$ для частот $f=16$ ГГц и $30$ ГГц при различных значениях фактора заполнения межсферических пустот в опаловой матрице магнитными наночастицами. Результаты, полученные разработанным численным методом, показывают хорошее совпадение с экспериментальными данными.

Ключевые слова: математическое моделирование, дифракция, матрица рассеяния, коэффициент прохождения, многоуровневая рекомпозиция, магнитная наноструктура.

УДК: 535.32



© МИАН, 2024