Моделирование радиационно-стимулированного источника тока на pin-структурах

Проведено моделирование и исследование генерации тока под действием электронного облучения с энергиями электронов 5-40 кэВ на pin-диодах. Разработана модель батареи питания, которая учитывает следующие процессы: генерацию электронно-дырочных пар за счет ионизации атомов кремния, диффузию и дрейфовый перенос электронов в объеме ОПЗ, а также рекомбинацию. Сравнение экспериментальных данных и численных расчетов подтверждает достоверность модели при облучении электронами средних энергий. Кроме этого, проведены измерения вольтамперной характеристики pin-диодов при воздействии бета-источника на основе Ni-63 с активностью 20-40 мКи.