Новый механизм спин-гальванического эффекта

Предложен механизм спин-гальванического эффекта, обусловленный спин-зависимым рассеянием. Электрический ток в системе спин-поляризованных двумерных носителей создается в результате интерференции процессов рассеяния с сохранением спина и процессов спиновой релаксации. Спин-гальванический эффект изучен для гетероструктур, в которых спиновая релаксация идет по механизмам Эллиота–Яфета и Дьяконова–Переля. Показано, что рассмотренный вклад в спин-гальванический ток может доминировать в асимметричных квантовых ямах A$_3$B$_5$.