Аннотация:
При низких температурах в гетероструктурах с двумя близко расположенными электронными слоями наблюдается высокий узкий пик межслоевой дифференциальной туннельной проводимости в отсутствие магнитного поля. Анализ экспериментальных результатов позволяет считать, что этот пик является следствием межслоевой фазовой когерентности, которая устанавливается в системе благодаря бозе-конденсации межслоевых экситонов, то есть пар из электрона и дырки, принадлежащих разным слоям, в соответствии с недавними теоретическими предсказаниями.