RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2006, том 83, выпуск 4, страницы 195–200 (Mi jetpl1250)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Эпитаксиальный рост полупроводниковых пленок при взаимодействии металлов с галогенами. Атомная структура CuI на поверхности Cu(110)

Б. В. Андрюшечкин, К. Н. Ельцов, В. В. Черкез

Центр естественнонаучных исследований Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН

Аннотация: Методом сканирующей туннельной микроскопии исследована атомная структура тонких слоев йодида меди (7–20 Å), формируемых на поверхности Cu(110) в результате химической реакции с молекулярным йодом в условиях сверхвысокого вакуума. Обнаружена сверхструктура с периодом 90–100 Å, состоящая из сдвоенных полос. Предложена структурная модель поверхности йодида меди, учитывающая сжатие решетки CuI и формирование сдвоенных линейных доменных стенок.

PACS: 68.35.-p, 68.35.Bs, 68.65.+g


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2006, 83:4, 162–166

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024