Аннотация:
Разработан метод идентификации подрешеток кристаллической структуры, в которых расположены атомные вакансии. Этот метод основан на определении химического окружения вакансий и реализуется
в рамках метода аннигиляции позитронов путем измерения распределения импульсов остовных электронов. Для определения характеристического распределения импульсов электронов используется специальная двухдетекторная спектроскопия, позволяющая измерить доплеровское уширение линии аннигиляционных гамма-квантов с высоким соотношением (до $10^6$) сигнал-шум. В качестве апробирования метода выполнена идентификация вакансий в облученном карбиде кремния (6H-SiС), спеченных нестехиометрических карбидах титана (TiC$_y$) и монооксидах титана TiO$_y$, а также химически осажденных сульфидах свинца и кадмия (PbS и CdS). Вакансии в углеродной и кремневой подрешетках были определены в карбиде кремния после облучения электронами низких и высоких энергий, соответственно. В TiC$_y$ были идентифицированы вакансии в неметаллической подрешетке.
В TiO$_y$, так же как и в PbS и CdS, вакансии были обнаружены в металлических подрешетках.