RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2010, том 92, выпуск 5, страницы 390–393 (Mi jetpl1412)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Metallic Beta-Phase Silicon Nanowires: Structure and Electronic Properties

R. V. Sorokinab, P. V. Avramovbc, V. A. Deminb, L. A. Chernozatonskiia

a Emanuel Institute of Biochemical Physics RAS, Moscow, Russian
b Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russian
c Advanced Science Research Center, Japan Atomic Energy Agency, Tokai, Ibaraki, Japan

Аннотация: Electronic band structure and energetic stability of two types of $<110>$ and $<001>$ oriented silicon nanowires in $\beta$-Sn phase with the surface terminated by hydrogen atoms were studied using density functional theory. It was found that $\beta$-Sn nanowires are metastable with zero band gap against to nanowires in diamond phase. The relative energy of the studied wires tends to the energy of the bulk silicon crystal in $\beta$-Sn phase.

Поступила в редакцию: 26.07.2010

Язык публикации: английский


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2010, 92:5, 352–355

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024