Аннотация:
Методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии исследованы GaAs-AlAs сверхрешетки (СР) с InAs квантовыми точками (КТ), выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Экспериментально обнаружено, что максимумы сверхструктурного диффузного рассеяния на КТ не совпадают с угловыми положениями когерентных сверхструктурных сателлитов. Для объяснения этого эффекта разработана статистическая теория дифракции на СР с учетом пространственной корреляции КТ. В рамках этой теории показано, что пиковые значения диффузной составляющей могут не совпадать
с максимумами когерентного рассеяния. Проведено численное моделирование рассеяния рентгеновских лучей на многокомпонентной СР, результаты расчетов сравниваются с экспериментальными данными.
Поступила в редакцию: 13.07.2010 Исправленный вариант: 23.08.2010