Изучение гетероструктуры SiO$_2$(Co)/GaAs методами поверхностного рассеяния синхротронного излучения

Гигантский инжекционный магниторезистивный эффект наблюдается в гранулированной Co/SiO$_2$ пленке на полупроводниковой GaAs подложке в узком интервале температур вблизи $T=300$ K. Согласно существующей теории природа эффекта связана со структурой и физическими свойствами интерфейсного слоя. Методами рефлектометрии и малоуглового рассеяния синхротронного излучения в скользящей геометрии изучено пространственное распределение наночастиц кобальта в объеме гранулированной пленки Co/SiO$_{2}$ и на границе раздела гранулированная пленка/полупроводниковая подложка (ГП/ПП). Показано, что в объеме пленки характерное среднее расстояние между гранулами кобальта составляет $7.3$ нм. В то же время, среднее расстояние между гранулами на интерфейсе ГП/ПП составляет $32$ нм при их вертикальном размере порядка 7.5 нм. Экспериментальные результаты свидетельствуют о пониженной концентрации кобальта на интерфейсе и о точечном характере контакта основного объема пленки Co/SiO$_{2}$ с подложкой GaAs через относительно разреженный слой ферромагнитных гранул кобальта.