Атомная структура поверхности GaAs(001)-c(8$\times$2) и места адсорбции атомов йода при малой степени покрытия

Установлено соответствие наблюдаемых атомно-разрешенных СТМ-изображений и $\zeta$-модели атомной структуры поверхности GaAs(001)-c(8$\times$2). Выяснено, что атомы йода при малой степени покрытия ($\theta<0.1$) занимают места над вакансионными рядами между атомами мышьяка, расположенными в верхнем слое.