Аннотация:
Используя ВКБ-приближение и модель параболических зон, проведен качественный анализ спин-зависимого туннелирования в контактах ферромагнитный металл – изолятор – ферромагнитный металл. Показано, что в отличие от других туннельных характеристик, вклад в магнитосопротивление вносят лишь электроны, движущиеся под большими углами к плоскости туннельного барьера. Установлена причина быстрого уменьшения контактного магнитного сопротивления при подаче на переход напряжения смещения. Показано, что она является следствием зеркального характера туннелирования и остается справедливой в рамках более сложных моделей.
PACS:73.40.-c, 75.70.-i
Поступила в редакцию: 05.07.2005 Исправленный вариант: 05.10.2005