RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2005, том 81, выпуск 3, страницы 149–153 (Mi jetpl1667)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Нестабильность распределения атомных ступеней на Si(111) при субмонослойной адсорбции золота при высоких температурах

С. С. Косолобовa, С. А. Цонгb, Л. И. Фединаa, А. К. Гутаковскийa, А. В. Латышевac

a Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Samsung Advanced Institute of Technology, P.O.Box 111 Suwon, 440-600, Korea
c Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии исследовано влияние адсорбции золота на распределение моноатомных ступеней на поверхности кремния (111) при температурах $850$$1260^\circ$C. Обнаружен новый эффект нестабильности морфологии поверхности кремния, который вызывает перераспределение регулярных ступеней (РС) в эшелоны ступеней (ЭС), и наоборот, на поверхности, содержащей субмонослойное покрытие золота. В условиях нагрева кристалла прямым пропусканием электрического тока установлена зависимость морфологических переходов РС $\Leftrightarrow$ ЭС на поверхности кремния от степени покрытия золотом и направления нагревающего тока. Так, изотермический отжиг при $900^\circ$С сопровождался следующими переходами на поверхности кремния с предварительно осажденным 0.75 МС золота: РС (0.72) $\Rightarrow$ ЭС (0.42) $\Rightarrow$ РС (0.24) $\Rightarrow$ ЭС (0.07) $\Rightarrow$ РС (0). В скобках приведены оценочные значения критических покрытий золотом в монослоях, при которых наблюдались морфологические переходы. При смене направления электрического тока, используемого для нагрева кристаллла, происходило обратимое изменение РС $\Rightarrow$ ЭС, а ЭС $\Rightarrow$ РС при тех же значениях критических покрытий золотом.

PACS: 68.37.-d, 68.43.Jk, 68.47.Fg

Поступила в редакцию: 21.12.2004


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2005, 81:3, 117–121

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024