Л. В. Луцев, А. И. Стогний, Н. Н. Новицкий, “Гигантское инжекционное магнитосопротивление в гетероструктурах арсенид галлия / гранулированная пленка с наноразмерными включениями кобальта”, Письма в ЖЭТФ, 2005, том 81, выпуск 10,страницы 636

Эта публикация цитируется в 22 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Гигантское инжекционное магнитосопротивление в гетероструктурах арсенид галлия / гранулированная пленка с наноразмерными включениями кобальта

Л. В. Луцев^a, А. И. Стогний^b, Н. Н. Новицкий^c

^a ОАО Научно-исследовательский инcтитут "Феррит-Домен", 196084 Санкт-Петербург, Россия
^b Минский Научно-исследовательский институт радиоматериалов, 220024 Минск, Беларусь
^c Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси, 220072 Минск, Беларусь

Аннотация: Исследован электронный транспорт в гетероструктурах арсенид галлия/гранулированная пленка SiO$_2$ с наночастицами Co и арсенид галлия/пленка TiO$_2$ с подслоями островков Co. При инжекции электронов из пленки в полупроводник наблюдалось новое явление, названное инжекционным магнитосопротивлением. Для структуры SiO$_2$(Co)/GaAs с концентрацией Co 60 ат.% в магнитном поле 23 кЭ при напряжении 50 В значения инжекционного магнитосопротивления достигают 5200 % при комнатной температуре.

PACS: 73.20.-r, 73.40.-c, 75.70.Pa

Поступила в редакцию: 25.03.2005
Исправленный вариант: 15.04.2005