Д. В. Гриценко, С. C. Шаймеев, М. А. Ламин, О. П. Пчеляков, В. А. Гриценко, В. Г. Лифшиц, “Двузонная проводимость ZrO$_2$, синтезированного методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Письма в ЖЭТФ, 2005, том 81, выпуск 11,страницы 721

Эта публикация цитируется в 11 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Двузонная проводимость ZrO$_2$, синтезированного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Д. В. Гриценко^a, С. C. Шаймеев^a, М. А. Ламин^a, О. П. Пчеляков^a, В. А. Гриценко^a, В. Г. Лифшиц^b

^a Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения РАН, 690041 Владивосток, Россия

Аннотация: С помощью экспериментов по инжекции неосновных носителей из кремния $n$- и $p$-типов определен вклад электронов и дырок в проводимость ZrO$_2$ в структуре Si/ZrO$_2$/Al. Установлено, что в проводимость ZrO$_2$ дают вклад электроны и дырки: проводимость ZrO$_2$ является двузонной.

PACS: 77.22.Jp, 77.55.+f, 77.84.Bw

Поступила в редакцию: 05.05.2005